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1、電壓擊穿：可控硅因不能承受電壓而損壞，其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。

2、電流損壞：電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。

3、電流上升率損壞：其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

4、邊緣損壞：發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。安裝不慎所造成的，它導(dǎo)致電壓擊穿。